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产品与服务
  • 商品名称: 半导体工艺代工服务
  • 商品编号: CP041
  • 上架时间: 2013-04-12
  • 浏览次数: 1431

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仕佳光子汇集了国内外从事光波导、半导体行业的资深专家,拥有一流的半导体加工、器件封装和测试设备,可为用户提供工艺开发、芯片和器件制造等服务。

 

■ 代工服务简介

平台实力

微纳加工设备主要包括传统光刻工艺、硅基半导体刻蚀工艺以及各种介质和无机材料薄膜制备等,可针对特征尺寸在微纳尺寸的各种结构和器件进行稳定可靠的工艺实现;具备先进完善的微纳尺度材料和器件结构的表征测试能力,配备有扫描电子显微镜、光学薄膜厚度仪、应力测试仪等测试分析手段;器件封装方面,拥有芯片切割、端面抛光、高精度贴片、光学六维测试封装等能力。

服务范围

加工形式从单步工艺到光电器件的开发制造及封装测试。我们的代工还包括定制服务,如各类掩膜板的设计定制;光学和封装夹具设计定制;光电测试板设计检测;光电模块设计检测等。

 

■ 加工服务项目

1、 半导体工艺加工

PECVD 薄膜生长

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

Process :                         SiO2、BSG、PSG、BPSG、Ge-SiO2

Deposition Rate:                     > 2000Å/min

Thickness:                        100 Å - 100000 Å 

R.I.(SiO2):                      1.4400 - 1.5000 (1550nm)

Thickness Within wafer uniformity:     £ ±2% 

Thickness Wafer to wafer uniformity:   £ ±2%

R.I. Within wafer uniformity:          < ±0.0002

R.I. Wafer to wafer uniformity:          < ±0.0002

Stress:                              < ±100MPa (SiO2 on Quartz)

数据结果

  

  

氧化工艺

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

R.I.:                              1.4447(1550nm)

Oxides Thickness:                   10nm-20um 

Thickness Within wafer uniformity:    £ ±1% 

Thickness Wafer to wafer uniformity:    £ ±1%

R.I. Within wafer uniformity:            < ±0.0002

R.I. Wafer to wafer uniformity:          < ±0.0002

Si刻蚀系统

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

Etch depth    < 5µm

Etch rate        > 400nm/min

Selectivity over PR mask    3:1

Uniformity       < ±3% 

Reproducibility    < ±3% 

Profile control       90°± 1°, smooth

CD Loss:                     < 0.5µm

刻蚀SEM结果

 

深Si刻蚀系统

工艺概述

采用独特工艺设计及精确参数控制,能实现优良的侧壁形貌控制、稳定的均匀性和大于50:1的高深宽比刻蚀,可为MEMS刻蚀工艺提供全面的解决方案。

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

Etch depth       > 300µm

Etch rate           > 2.5um/min 

Selectivity over PR mask   > 40:1

Selectivity over SiO2 mask        > 100:1

Depth to width ratio              > 30:1

Uniformity           < ±3% 

Reproducibility   < ±3% 

Profile control          90º±1º

Scallop                       < 100nm

刻蚀SEM结果

SiO2刻蚀系统

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

Etch depth             <10µm

Etch rate         >450nm/min

Selectivity over mask                  20:1

Uniformity        <±3% 

Reproducibility        <±3% 

Profile control            90°± 1°(85-90°under control)

Minimum trench width                 0.5µm

Sidewall roughness (Scallops)           <50nm

CD Loss:                           < 0.5µm

刻蚀SEM结果

 

光刻系统

加工尺寸

6寸晶圆

工艺标准

Resist Thickness     1um~5µm

Spin Coat Uniformity     <±2%

Bake Temperature                 25°~ 250°

Profile control         80°± 3°

CD Resolution               1.0µm

Alignment accuracy                2.0um

CD uniformity:                 £ ± 3% 

光刻SEM结果

Ø 

 

2、 器件组封装

服务项目包括:晶圆切割/芯片研磨及抛光/高精度贴片/等离子清洗/六维光学平台

3、 测量

服务项目包括:测量型显微镜/膜厚测量仪/扫描电镜/应力测试仪

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